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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-13
產(chǎn)品型號(hào): GDAT-A
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):2.1 tanδ和ε性能:2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:tanδ:0.1~0.00005,ε:1~502.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器Q值
材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀原理:
介電體(又稱電介質(zhì))zui基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義,而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一,探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料,對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)(又稱電容率)是反映材料特性的重要參量,電介質(zhì)極化能力越強(qiáng),其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多,常用的有比較法,替代法,電橋法,諧振法,Q表法,直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍,因而要根據(jù)材料的性能,樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。
同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
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