廣東介電常數(shù)測試儀介質損耗GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ，無須關注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算*的。

介電體（又稱電介質）基本的物理性質是它的介電性，對介電性的研究不但在電介質材料的應用上具有重要意義，而且也是了解電介質的分子結構和激化機理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質材料，對電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質極化能力越強，其介電常數(shù)就越大。測量介電常數(shù)的方法很多，常用的有比較法，替代法，電橋法，諧振法，Q表法，直流測量法和微波測量法等。各種方法各有特點和適用范圍，因而要根據(jù)材料的性能，樣品的形狀和尺寸大小及所需測量的頻率范圍等選擇適當?shù)臏y量方法。

廣東介電常數(shù)測試儀介質損耗技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

介電常數(shù)測量技術在民用，工業(yè)以及軍事等各個領域應用廣泛。本文主要對介電常數(shù)測量的常用方法進
行了綜合論述。首先對國家標準進行了對比總結；然后分別論述了幾種常用測量方法的基本原理、適用范圍、
優(yōu)缺點及發(fā)展近況；后對幾種測量方法進行了對比總結，得出結論。

介電常數(shù)是物體的重要物理性質，對介電常數(shù)的研究有重要的理論和應用意義。電氣工程中的電介質問題、電磁兼容問題、生物醫(yī)學、微波、電子技術食品加工和地質勘探中，無一不利用到物質的電磁特性，對介電常數(shù)的測量提出了要求。目前對介電常數(shù)測量方法的應用可以說是遍及民用、工業(yè)、國防的各個領域

在食品加工行業(yè)當中，儲藏、加工、滅菌、分級及質檢等方面都廣泛采用了介電常數(shù)的測量技術。例如，通過測量介電常數(shù)的大小，新鮮果蔬品質、含水率、發(fā)酵和干燥過程中的一些指標都得到間接體現(xiàn)，此外，根據(jù)食品的介電常數(shù)、含水率確定殺菌時間和功率密度等工藝參數(shù)也是重要的應用之一[1]。在路基壓實質量檢測和評價中，如果利用常規(guī)的方法，盡管測量結果比較準確，但工作量大、周期長、速度慢且對路面造成破壞。由于土體的含水量、溫度及密度都會對其介電特性產(chǎn)生不同程度的影響，因此可以采用雷達對整個區(qū)域進行測試以反算出介電常數(shù)的數(shù)值，通過分析介電性得到路基的密度及壓實度等參數(shù)，達到快速測量路基的密度及壓實度的目的[2]。此外，復介電常數(shù)測量技術還在水土污染的監(jiān)測中得到了應用[3]。并且還可通過對巖石介電常數(shù)的測量對地震進行預報[4]。上面說的是介電常數(shù)測量在民用方面的部分應用，其在工業(yè)上也有重要的應用。典型的例子有低介電常數(shù)材料在超大規(guī)模集成電路工藝中的應用以及高介電常數(shù)材料在半導體儲存器件中的應用。在集成電路工藝中，隨著晶體管密度的不斷增加和線寬的不斷減小，互聯(lián)中電容和電阻的寄生效應不斷增大，傳統(tǒng)的絕緣材料二氧化硅被低介電常數(shù)材料所代替是必然的。目前Applied Materials 的BlackDiamond 作為低介電常數(shù)材料，已經(jīng)應用于集成電路的商業(yè)化生產(chǎn)[5]。在半導體儲存器件中，利用高介電常數(shù)材料能夠解決半導體器件尺寸縮小而導致的柵氧層厚度極限的問題，同時具備特殊的物理特性，可以實現(xiàn)具有特殊性能的新器件[6]。在軍事方面，介電常數(shù)測量技術也廣泛應用于雷達和各種特
殊材料的制造與檢測當中。對介電常數(shù)測量技術的應用可以說是不勝枚舉。介電常數(shù)的測量技術已經(jīng)廣泛應用于民用、工業(yè)和國防各個領域，并且有發(fā)展的空間和必要性。我們對測量介電常數(shù)的方法進行總結，能更清晰的認識測量方法的現(xiàn)狀，為某些應用提供一種可能適合的方法，是有一定理論和工程應用意義的。

.介電常數(shù)測量方法綜述介電常數(shù)的測量按材質分類可以分為對固體、液體、氣體以及粉末(顆粒)的測量[7]。固體電介質在測量時應用為廣泛，通?？梢苑譃閷潭ㄐ螤畲笮〉墓腆w和對形狀不確定的固體的測量。相對于固體，液體和氣體的測試方法較少。對于液體，可以采用波導反射法測量其介電常數(shù)，誤差在5%左右[8]。此外國家標準中給出了在90℃、工頻條件下測量液體損耗角正切及介電常數(shù)的方法[9]。對于氣體，具體測試方法少且精度都不十分高。文獻[10]中給出一種測量方法，以測量共振頻率為基礎，在LC 串聯(lián)諧振電路中產(chǎn)生震蕩，利用數(shù)字頻率計測量諧振頻率，不斷改變壓強和記錄當前壓強下諧振頻率，后用作圖或者一元線性回歸法處理數(shù)據(jù)，得到電容變化率進而計算出相對介電常數(shù)。

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